該儀器采用了主動(dòng)擾動(dòng)抑制技術(shù)、快速應(yīng)力形變分析算法、共光路橫向錯(cuò)位干涉、二維偏振相移等技術(shù)，大口徑、大面形、抗高溫空氣擾動(dòng)等關(guān)鍵技術(shù)?？蓪?duì)6英寸樣品應(yīng)力和形變進(jìn)行全場(chǎng)、快速、直接測(cè)試。適用于微電子、光電子器件科研生產(chǎn)中電子基片和薄膜的面形分布、應(yīng)力分布和應(yīng)力釋放過(guò)程的測(cè)試，為提高電子元器件質(zhì)量和可靠性提供數(shù)據(jù)支持。
可測(cè)Si、CaAs、InGaAs和Ge等具有反光性能的薄膜或拋光片
基片和薄膜面形測(cè)試
薄膜應(yīng)力分布測(cè)試；
應(yīng)力和形變釋放過(guò)程測(cè)試
變溫基片形變和薄膜應(yīng)力測(cè)試；
具有測(cè)試過(guò)程數(shù)據(jù)記錄功能，輸出結(jié)果類型：三維立體顯示、二維偽彩色顯示、數(shù)據(jù)表格、溫度與應(yīng)力曲線
技術(shù)參數(shù)：
測(cè)試樣片尺寸：2～6英寸
激光波長(zhǎng)：650nm±30nm
激光功率：≥15mW
樣品溫控范圍：室溫～200℃
溫度均勻性：±2%±2℃
溫度控制精度：±2%±1℃
溫度顯示分辨率：0.1℃
曲率半徑測(cè)試范圍：∣R∣≥8m
曲率半徑測(cè)試精度：5%
應(yīng)力測(cè)量范圍：50MPa～1GPa
應(yīng)力重復(fù)測(cè)量精度：±10%±10MPa
應(yīng)力測(cè)量顯示分辨率：10MPa
測(cè)試時(shí)間：≤3min/片
電源：AC 220（1±10%）V，50（1±5%）Hz
功耗：≤350W
結(jié)構(gòu)特征：臺(tái)式
外形尺寸（W×H×D）：≤520mm×630mm×850mm
重量：約80kg
6341電子薄膜應(yīng)力分布測(cè)試儀
該儀器是為解決微電子、光電子科研與生產(chǎn)中基片平整度及薄膜應(yīng)力分布的測(cè)試而設(shè)計(jì)的。它通過(guò)測(cè)量每道工序前后基片面形的變化（變形）來(lái)測(cè)量曲率半徑的變化及應(yīng)力分布，從而計(jì)算薄膜應(yīng)力。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件工藝研究及質(zhì)量控制，為改善半導(dǎo)體器件可靠性提供測(cè)試數(shù)據(jù)。
本儀器適用于測(cè)量Si、Ge、CaAs等半導(dǎo)體材料的基片平整度，以及氧化硅、氮化硅、鋁等具有一定反光性能的薄膜的應(yīng)力分布。
技術(shù)參數(shù)：
測(cè)試硅片尺寸：2～4英寸
硅片曲率范圍：|R|> 5米
測(cè)試精度：5%（在R=±8米處考核）
單片測(cè)試時(shí)間：3分鐘/片
輸出結(jié)果類型：面形、曲率分布、梯度分布和應(yīng)力分布
圖形顯示功能：三維立體顯示、二維偽彩色顯示、統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)表格
電 源：AC 220（1±10%）V，50（1±5%）Hz
*大功耗：100W
外形尺寸：285mm×680mm×450mm
重 量：≤36kg
